裝置參數(shù) | 指標(biāo) | 備注 | |
功能簡(jiǎn)介 | 本裝置可產(chǎn)生符合滿(mǎn)足 GJB151B-2013 和GJB8848-2016 要求的脈沖電場(chǎng)。根據(jù)效應(yīng)物體積設(shè)計(jì)試驗(yàn)空間尺寸。可滿(mǎn)足電子系統(tǒng)及元器件的 抗強(qiáng)電磁脈沖效應(yīng)考核試驗(yàn)。 | ||
脈沖源 | 標(biāo)稱(chēng)電壓 | 350kV | 可根據(jù)用戶(hù)要求定制， 最高電壓 3MV |
運(yùn)行電壓 | 5kV-300kV | ||
脈沖前沿 | ＜2ns | ||
天線(xiàn) |
阻抗 | 120-180Ω | 由天線(xiàn)形狀尺寸決定， 可設(shè)計(jì) |
高度 | 1m-6m | 可根據(jù)用戶(hù)要求定制， 與脈沖源匹配 | |
輻射場(chǎng) | 脈沖電場(chǎng)峰值 | ＞50kV/m |
滿(mǎn)足GJB151B-2013 和 GJB8848-2016 要求 |
脈沖電場(chǎng)上升沿 | ＜2.5ns | ||
脈沖電場(chǎng)半高寬：＞ 23ns | ＞23ns | ||
控制系統(tǒng) | 控制方式 | 電腦全自動(dòng)控制 | |
典型波形 |
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裝置參數(shù) | 指標(biāo) | 備注 | |
功能簡(jiǎn)介 | 本裝置可產(chǎn)生符合滿(mǎn)足 GJB151B-2013 和GJB8848-2016 要求的脈沖電場(chǎng)。根據(jù)效應(yīng)物體積設(shè)計(jì)試驗(yàn)空間尺寸。可滿(mǎn)足電子系統(tǒng)及元器件的 抗強(qiáng)電磁脈沖效應(yīng)考核試驗(yàn)。 | ||
脈沖源 | 標(biāo)稱(chēng)電壓 | 350kV | 可根據(jù)用戶(hù)要求定制， 最高電壓 3MV |
運(yùn)行電壓 | 5kV-300kV | ||
脈沖前沿 | ＜2ns | ||
天線(xiàn) |
阻抗 | 120-180Ω | 由天線(xiàn)形狀尺寸決定， 可設(shè)計(jì) |
高度 | 1m-6m | 可根據(jù)用戶(hù)要求定制， 與脈沖源匹配 | |
輻射場(chǎng) | 脈沖電場(chǎng)峰值 | ＞50kV/m |
滿(mǎn)足GJB151B-2013 和 GJB8848-2016 要求 |
脈沖電場(chǎng)上升沿 | ＜2.5ns | ||
脈沖電場(chǎng)半高寬：＞ 23ns | ＞23ns | ||
控制系統(tǒng) | 控制方式 | 電腦全自動(dòng)控制 | |
典型波形 |
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